شركة CXMT الصينية تستثمر 7 تريليونات وون لتطوير تقنيات الذاكرة العالية الأداء HBM4

صورة عامة لمقر شركة تشانج شين كه جي (CXMT) الرئيسي [الصورة: رويترز · يونهاب]

أعلنت شركة تشانج شين كه جي (长鑫科技، CXMT)، أكبر منتج ذاكرة وصول عشوائية ديناميكية (DRAM) في الصين، عن خطة استثمار ضخمة بقيمة حوالي 7 تريليونات وون كوري. وتعكس هذه الخطوة تسارع الشركة في تعزيز قدراتها التنافسية في مجال الذاكرة العالية الأداء (HBM)، بعد أن بدأت بإنتاج كميات محدودة من نوع HBM3E.

أعلنت CXMT في مساء يوم 28 سبتمبر عن خطة استثمارية جديدة بإجمالي 34.9 مليار يوان صيني (حوالي 7 تريليونات وون). ستوزع هذه الاستثمارات كالتالي: 24.1 مليار يوان لمشاريع البحث والتطوير التكنولوجي، و10.8 مليارات يوان لإنشاء مرافق اختبار العمليات اللاحقة.

ويشكل شراء المعدات جزءاً كبيراً من استثمار البحث والتطوير، حيث خصصت الشركة 22.398 مليار يوان (ما يعادل 92.94% من إجمالي الاستثمار) لهذا البند. سيستغرق المشروع حوالي 30 شهراً لإكماله، وتهدف CXMT من خلاله إلى تسريع تحديث أجيال المنتجات والعمليات الإنتاجية، بالإضافة إلى تحسين كثافة الذاكرة وكفاءة الطاقة والأداء العام.

قد دخلت CXMT بالفعل في مرحلة التطوير والإنتاج التجاري لذاكرة HBM3E. وتُعتبر HBM ذاكرة عالية عرض النطاق الترددي يتم إنتاجها بتكديس عدة شرائح من الذاكرة DRAM بشكل عمودي. وتتطلب هذه الذاكرة، مقارنة بالذاكرة DRAM العادية، تقنيات متقدمة في المعالجة الدقيقة والعائد الإنتاجي، بالإضافة إلى تقنيات التكديس والتغليف والاختبار.

لذا، فإن هذا الاستثمار البالغ 24.1 مليار يوان في تقنيات الذاكرة من الجيل القادم قد يُستخدم كأساس لتحسين تقنيات المعالجة للذاكرة عالية الأداء المستخدمة في HBM وزيادة معدل العائد الإنتاجي. وتُشير التحليلات إلى أن الاستثمار الضخم في المعدات سيعزز قدرات الشركة في البحث والتطوير للعمليات الإنتاجية من الجيل القادم والتحول إلى الإنتاج الضخم.

ترتبط محطات الاختبار اللاحقة الإضافية (التي تتطلب استثماراً بقيمة 10.8 مليارات يوان) ارتباطاً وثيقاً بإنتاج HBM. ستقوم CXMT ببناء منشآت اختبار في هذه المواقع لتتولى مهام اختبار الذاكرة DRAM وتجميع الوحدات. وأوضحت الشركة أن توسع القدرة الإنتاجية وزيادة أنواع المنتجات قد يؤدي إلى عدم كفاية قدرات الاختبار لدى الشركات الخارجية المتخصصة، وبالتالي تصبح ضرورة بناء قدرات اختبار داخلية حتمية. وفي الواقع، فإن تأمين خطوط معالجة لاحقة خاصة بالشركة يمثل تحضيراً استراتيجياً لتوسع إنتاج HBM على المدى الطويل.

في النهاية، يُظهر هذا الاستثمار طابعاً قوياً من الاستعداد للمنافسة في مجال الذاكرة عالية الأداء التي تمتد من HBM3E إلى HBM4، وليس مجرد توسيع بسيط للقدرة الإنتاجية للذاكرة DRAM.

من جهة أخرى، أفادت وسيلة الإعلام الأمريكية المتخصصة في تكنولوجيا المعلومات "ديسينفورميشن" في 31 أغسطس، نقلاً عن شخصين مطلعين على الموضوع، بأن CXMT بدأت الإنتاج الضخم المحدود لذاكرة HBM3E. تخضع هذه الذاكرة المُنتجة لاختبارات التحقق من الجودة لدى طرفين: شركة "بينج توو جه" (平頭哥)، وهي شركة متخصصة في تصميم رقائق الذكاء الاصطناعي التابعة لمجموعة علي بابا، وشركة كيمبريكون الصينية المتخصصة في رقائق الذكاء الاصطناعي. وفي حالة نجاح الاختبارات، يُجري النظر في إمكانية تضمين ذاكرة HBM من CXMT في المنتجات المقرر إطلاقها في أوائل عام 2027 أو لاحقاً.



* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.