صناعة أشباه الموصلات الكورية على موجة انتعاش مستدامة..توقعات بنمو بنية الذكاء الاصطناعي 20 ضعفاً بحلول 2030

رئيس SK하이닉스: تطوير ذاكرة HBF بسعة تفوق HBM بـ 10 مرات

الصين تطبق تقنية '4F² على رقائق الخادم الجديدة..سامسونج تؤكد أنها قيد التطوير

سامسونج تسخر قدرات أشباه الموصلات المتكاملة..SK하이닉스 تركز على التعاون مع إنفيديا

• رئيس SK하이닉스: تطوير ذاكرة HBF بسعة تفوق HBM بـ 10 مرات

• الصين تطبق تقنية '4F² على رقائق الخادم الجديدة..سامسونج تؤكد أنها قيد التطوير

• سامسونج تسخر قدرات أشباه الموصلات المتكاملة..SK하이닉스 تركز على التعاون مع إنفيديا

أن هيون، الرئيس التنفيذي لـ SK하이닉스، يألقي خطاباً رئيسياً في حفل المؤتمر في المعرض الثامن والعشرون لصناعة أشباه الموصلات (SEDEX 2026) المقام في كوإكس بحي جانغنام بسيول في 14 أكتوبر. [الصورة=وكالة يونهاب]

تستحوذ النظرة المتفائلة على زخم متنامٍ بشأن استمرار الازدهار في صناعة أشباه الموصلات المحلية في كوريا الجنوبية، مدفوعة بتوسع الاستثمارات في الذكاء الاصطناعي. ومع تزايد الطلب على استنتاجات الذكاء الاصطناعي بسرعة، يشهد سوق الذاكرة عالية الأداء، بما في ذلك الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM)، نموّاً سريعاً، في حين بدأت شركات أشباه الموصلات المحلية منافسة جادة على تطوير التكنولوجيات الجيل القادم للتصدي لمحاولات الصين في اللحاق التكنولوجي.

أن هيون، الرئيس التنفيذي لشؤون التطوير (CDO) في SK하이닉스، صرح في الخطاب الرئيسي لمعرض SEDEX 2026 (المعرض الثامن والعشرون لصناعة أشباه الموصلات) المقام في كوإكس بسيول في 14 أكتوبر بأن "حجم أداء بنية الذكاء الاصطناعي سيكون أكبر بحوالي 20 مرة من هذا العام بحلول عام 2030".

وأشار الرئيس التنفيذي إلى أن تعقيد المهام في استنتاجات الذكاء الاصطناعي وكمية المعلومات المعالجة وحجم الطلبات تزداد بشكل متزامن، مما أدى إلى ارتفاع حاد في الطلب على الذاكرة. وأضاف أن "ذاكرة التخزين المؤقت للمفتاح والقيمة (KV Cache)"، التي تُستخدم لتخزين وإعادة استخدام المعلومات التي يعالجها الذكاء الاصطناعي، تتزايد بشكل متنام، مما يجعل حركة البيانات بين ذاكرة HBM وذاكرة الوصول العشوائي (DRAM) والأقراص الصلبة (SSD) عنقاً في الزجاجة جديداً يؤثر على الأداء.

في هذا السياق، تركز SK하이닉스 على توسيع نطاق ذاكرة HBM المخصصة، بالإضافة إلى تطوير ذاكرة فلاش عالية النطاق الترددي (HBF) بهدف تحقيق سعة تزيد بعشرة أضعاف عن HBM، وتطوير ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد تُصنَّع مباشرة فوق رقائق المعالجة. وأوضح الرئيس التنفيذي: "سيتم استخدام كل من ذاكرة HBM القياسية والمخصصة جنباً إلى جنب، لكن على المدى الطويل ستشهد المنتجات المخصصة توسعاً أكبر".

بالموازاة مع ذلك، يُعتبر تطور تكنولوجيا الذاكرة الصينية متغيراً منافساً مهماً للشركات المحلية. فقد أعلنت شركة Changxin Memory Technologies (CXMT) الصينية عن خطتها لتطبيق تقنية "4F² (أربعة إيف تربيع)" على ذاكرة DRAM الجيل القادم لخوادم البيانات. وتُعتبر تقنية 4F² وسيلة لتقليل مساحة خلايا DRAM، مما يسمح بتخزين كمية أكبر من البيانات في نفس المساحة.

سونغ جاي-هيوك (يسار)، الرئيس التنفيذي والمسؤول الأول عن التكنولوجيا (CTO) في سامسونج إلكترونيكس، وأن هيون (يمين)، الرئيس التنفيذي لشؤون التطوير في SK하이닉스، يتفقدان جناح SK하이닉스 في معرض SEDEX 2026 بكوإكس في 14 أكتوبر. [الصورة=بارك جين-يونغ]

أجاب سونغ جاي-هيوك، الرئيس التنفيذي والمسؤول الأول عن التكنولوجيا (CTO) في سامسونج إلكترونيكس، بـ "نعم" عندما سُئل من قِبل الصحفيين عما إذا كانت الشركة تطور تقنية 4F². لكنه أحجم عن تقديم تفاصيل إضافية حول حالة التطوير، قائلاً: "نحن نعمل بجد عليها". ويُعتقد أن سامسونج إلكترونيكس و SK하이닉스 كانتا تبحثان عن هذه التقنية سابقاً، لكنهما لم تطبقاها في الإنتاج الضخم حتى الآن بسبب مشاكل التكاليف وغيرها. وفي الوقت الذي تسارع فيه وتيرة التطور التكنولوجي الصيني، تركز الشركات المحلية على تأمين تقنيات الذاكرة الجيل القادم.

في هذا السياق، كشفت كلا الشركتين عن إستراتيجياتهما التكنولوجية وأعمالهما في مجال أشباه الموصلات للذكاء الاصطناعي الجيل القادم، حيث سلطت كل منهما الضوء على نقاط قوتها الخاصة.

سلطت سامسونج إلكترونيكس الضوء على قدراتها المتكاملة في أشباه الموصلات، التي تشمل الذاكرة وخدمات التصنيع بالعقد (Foundry) والتغليف المتقدم. عرضت الشركة ذاكرة HBM4E الجيل القادم، ورقائق قاعدة HBM4E المستندة إلى عملية 4 نانومتر، وتقنية zHBM ثلاثية الأبعاد للذاكرة، مقدمة حلولاً متكاملة لأشباه الموصلات الخاصة بالذكاء الاصطناعي. وأعلنت سامسونج في "منطقة عنقود أشباه الموصلات" الجديدة بالمعرض عن مراكز الإنتاج الرئيسية وخطط توسيع البنية التحتية. وتستهدف مجمع يونغين الوطني الصناعي، الذي تستثمر فيه سامسونج حوالي 360 تريليون وون، بدء تحضير الموقع والبدء في البناء عام 2027، والوصول إلى تشغيل خط الإنتاج الأول بحلول أكتوبر 2029.

ركزت SK하이닉스 على تقنيات ذاكرة الذكاء الاصطناعي المركزة حول HBM والتعاون مع إنفيديا. نصبت الشركة أكبر جناح في المعرض، وعرضت نماذج هياكل HBM و HBF وذاكرة DRAM عالية الأداء لخوادم الذكاء الاصطناعي وأقراص SSD للمؤسسات. وركزت بشكل خاص على إبراز العلاقة التعاونية بينها وبين إنفيديا من خلال عرض سوبرتشيب "Vera Rubin" من إنفيديا ورقاقة HBM موقعة من قِبل الرئيس التنفيذي جينسن هوانج. كما عرضت الشركة مجموعة متنوعة من منتجات الذاكرة بما فيها وحدة RDIMM 3DS بسعة 256GB لخوادم البيانات و LPDDR6 للهواتف النقالة.

في 14 أكتوبر، افتُتح معرض SEDEX 2026 (المعرض الثامن والعشرون لصناعة أشباه الموصلات) في كوإكس بسيول، حيث يظهر النائب لي جون-سيوك من حزب الإصلاح الديمقراطي، وسونغ جاي-هيوك، الرئيس التنفيذي والمسؤول الأول عن التكنولوجيا (CTO) بقسم تقنية المعلومات والاتصالات في سامسونج إلكترونيكس، وأن هيون، الرئيس التنفيذي لشؤون التطوير في SK하이닉스، وشخصيات بارزة أخرى يلتقطون صورة تذكارية أمام المعرض. [الصورة=بارك جين-يونغ]

 

* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.