إكمال 10 عقود إمداد طويلة الأجل والتفاوض مع 10 عملاء آخرين... توسع العملاء نحو قطاع الهاتف المحمول والسيارات
معدل تشغيل المسابك أقل من 8 نانومتر يتجاوز 100%
أعلنت سامسونج إلكترونيكس اكتمال مفاوضات كميات إمداد ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) للعام المقبل، مما يعني بيعها بالكامل رسمياً. وفيما تتوقع استمرار نقص العرض من الذاكرة حتى عام 2028، توسع قائمة العملاء الراغبين في عقود الإمداد طويلة الأجل لتتجاوز شركات البيانات الكبرى وتشمل قطاعات الهاتف المحمول والسيارات.
قالت سامسونج إلكترونيكس في مؤتمر مكالمة نتائج الربع الثالث بتاريخ 29 أكتوبر: "إن كميات إمداد ذاكرة النطاق الترددي العالي لعام 2027 قد أكملت المفاوضات بأسعار تتوافق مع مستويات الأهداف المحددة بناءً على القدرة التنافسية للمنتج، وبالفعل في حالة بيع كامل. كما نتلقى باستمرار طلبات من العملاء الرئيسيين لزيادة الكميات الإضافية".
ارتفعت إيرادات HBM4 في الربع الثالث بأكثر من ثلاثة أضعاف مقارنة بالربع السابق، لتصل إلى حوالي 60% من إجمالي إيرادات الذاكرة. واعتبرت الشركة أنها حققت بالفعل في الربع الثالث الهدف المخطط لتحقيق حصة سوقية من ذاكرة النطاق الترددي العالي مساوية لحصتها في سوق الذاكرة الديناميكية (D-RAM) خلال النصف الثاني من هذا العام.
وسّعت الشركة توقعاتها للعرض والطلب حتى عام 2028. وأوضحت سامسونج إلكترونيكس: "يوجد اتجاه يجعل حجم الاستثمارات الرأسمالية يبدو منتفخاً بسبب ارتفاع تكاليف البناء وتأثير الدفعات المقدمة للمعدات، وبما أن الفترة الزمنية من بدء البناء الجديد إلى الإنتاج تحتاج لوقت طويل، فمن الصعب أن تساهم الزيادات الاستثمارية في العام المقبل بشكل فعلي في إنتاج البتات في عام 2028. كما أن زيادة حجم القالب مع الانتقال من HBM4E إلى HBM5 تعتبر عاملاً من عوامل القيود على الإمداد".
بخصوص عقود الإمداد طويلة الأجل، أكملت الشركة التوقيع مع 10 عملاء كبار، وتجري حالياً مفاوضات مع 10 عملاء رئيسيين آخرين. توسعت قائمة العملاء الموقعة على هذه العقود لتشمل ليس فقط شركات البيانات الكبرى وموردي الخوادم، بل أيضاً شركات الهاتف المحمول والسيارات والاتصالات. أضافت الشركة أنها رفعت رؤيتها لحجم العقود طويلة الأجل، حيث تهدف إلى تغطية 60 إلى 70% من طاقة الإنتاج بعقود طويلة الأجل بحلول عام 2030.
شددت الشركة أيضاً قيودها على الاستثمارات. تبلغ الاستثمارات الرأسمالية السنوية للعام الحالي 84.4 تريليون وون، بزيادة 31.7 تريليون وون عن العام السابق، حيث يستحوذ قسم أشباه الموصلات (DS) على 76.8 تريليون وون منها. بلغت نفقات البحث والتطوير في الربع الثالث 14.4 تريليون وون.
يتوقع أن يتجاوز معدل تشغيل عمليات المسابك بحجم 8 نانومتر أو أقل للعام المقبل 100%، مما يدفع الشركة للبدء في توسيع الطاقة الإنتاجية للعمليات بحجم 8 و4 و2 نانومتر. بدأت مصنع تايلور الأول في الولايات المتحدة تشغيل غرفة الفراغ وبدء إدخال المعدات، بينما يستعد المصنع الثاني للبدء في البناء على قدم وساق. من المتوقع أن تتجاوز حصة إيرادات HPC للعام المقبل 50%. كما أكملت الشركة مع بعض العملاء تطوير رقاقات اختبار لعمليات بحجم 1.4 نانومتر.
في قسم الذاكرة NAND، لاحظت الشركة الزيادة السريعة في طلب ذاكرة التخزين المؤقت KV بسبب الانتشار السريع لذكاء اصطناعي بموجة Agentic، مما يؤدي لزيادة الطلب على محركات الأقراص الصلبة SSD الموجهة للخوادم. أعلنت الشركة عن خطتها لتطبيق تكنولوجيا تجميع بـ 32 طبقة وإطلاق محرك أقراص صلبة QLC بسعة 256 تيرابايت في أوائل العام المقبل.
فيما يتعلق بعودة القيمة للمساهمين، ستستخدم الشركة الموارد المتبقية البالغة 55 إلى 75 تريليون وون للعام الحالي في توزيعات الأرباح النقدية وشراء وإلغاء أسهمها الخاصة، كما تدرس زيادة نسبة شراء الأسهم الممتازة. ستؤكد الشركة خطة التنفيذ التفصيلية والسياسة الجديدة للعام 2027 وما بعده خلال اجتماع مجلس الإدارة في نهاية يناير من العام المقبل.
* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.