سوق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية العالمية تدخل دورة فائقة مع زيادة الإيرادات بمقدار 5 أضعاف... سامسونج تتصدر بـ 38% و SK Hynix تحقق انتعاشة

  • إيرادات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية العالمية تنمو بنسبة 369% في الربع الثالث... ارتفاع الأسعار يقود النمو

  • إيرادات SK Hynix تزداد بنسبة 40% عن الربع السابق... منافسة HBM4 تبدأ فعلياً

حصة الإيرادات العالمية لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية في الربع الثالث من عام 2026 [الصورة=أبحاث Counterpoint]
حصة الإيرادات العالمية لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية في الربع الثالث من عام 2026 [الصورة=أبحاث Counterpoint]

دخل سوق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية العالمية مرحلة دورة فائقة مع تزايد الاستثمارات في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي وارتفاع أسعار الذاكرة. وحافظت شركة سامسونج على موقعها الريادي برصيد حصة سوقية بلغت 38%، بينما تسارعت شركة SK Hynix في المطاردة برفع إيراداتها بشكل ملحوظ.

ووفقاً لشركة أبحاث Counterpoint في 5 من الشهر الحالي، حققت إيرادات سوق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية العالمية في الربع الثالث من هذا العام نموّاً بنسبة 369% مقارنة بنفس الفترة من العام السابق. احتفظت سامسونج بالمركز الأول برصيد حصة سوقية قدرها 38%. وحققت SK Hynix زيادة في الإيرادات تجاوزت 40% عن الربع السابق، مما أسهم في استعادة جزء من حصتها السوقية. وانخفضت حصة الشركة الصينية CXMT من 10% إلى 9%.

كان الازدهار الحالي مدفوعاً بارتفاع الأسعار أكثر من زيادة حجم الإنتاجية. فقد شهد إنتاجية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية من حيث البت في الربع الثالث ارتفاعاً طفيفاً لا يتجاوز 4% عن الربع السابق، بينما ارتفع متوسط سعر البيع (ASP) إلى 1.9 دولار لكل جيجابايت.

يشهد سوق الذاكرة ارتفاعاً في قوة المفاوضات لدى الموردين نتيجة لتزايد الطلب على ذاكرة عالية الأداء المطلوبة لخوادم الذكاء الاصطناعي. وتتمثل الخصيصة البارزة لهذا الازدهار في امتداد موجة ارتفاع الأسعار لتشمل ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات الاستخدام العام.

على صعيد الأنواع المختلفة للمنتجات، حققت إيرادات DDR و LPDDR نموّاً بنسبة حوالي 500% و 400% على التوالي مقابل نفس الفترة من العام السابق. كما شهدت إيرادات ذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) نموّاً قارب الضعف، إلا أن سرعة نمو ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات الاستخدام العام كانت أسرع، مما أدى إلى انخفاض نسبة HBM من إجمالي الإيرادات.

يشهد سوق ذاكرة عالية النطاق الترددي منافسة مكثفة حول الجيل القادم HBM4. وذكرت شركة أبحاث Counterpoint أن سامسونج قد تتمكن من استعادة المركز الأول في سوق HBM في العام القادم بناءً على توسيع إمدادات HBM4.

وقال مدير الأبحاث في Counterpoint، هوانغ مين-سونغ: «نظراً لأن المصانع الجديدة الكبيرة للرقائق الدقيقة لن تبدأ عملياتها إلا في عام 2028، فإن نقص الإمداد من الذاكرة سيستمر»، وتوقع استمرار قوة الأسعار في العام المقبل.



* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.