المشاركة في اتحاد عام عالمي بقيادة ASML...بحث مشترك وتطوير معايير الانتقال من قناع 6 بوصة إلى 12 بوصة
تقليل قيود الحياكة الضوئية لرفع الإنتاجية...التوسع من المسابك إلى الذاكرة المتقدمة
أعلنت سامسونج إلكترونيكس عن مشاركتها في "اتحاد الأقنعة الكبيرة" الذي تقوده شركة ASML لتطوير أقنعة ضوئية من فئة 12 بوصة من الجيل القادم، حيث ستعمل على البحث المشترك وتطوير معايير القطاع. يهدف المشروع إلى الانتقال من الأقنعة الحالية بقياس 6 بوصات المستخدمة في عمليات الحفر الضوئي إلى أقنعة بقياس 12 بوصة.
ومن المخطط أن تقدم الشركة عام 2028 معدات "الأشعة فوق البنفسجية المتطرفة عالية الفتحة الرقمية" (High NA EUV) للاستخدام في تصنيع ذاكرة الدرام المتقدمة كأول شركة في الصناعة. لا يقتصر الأمر على تبني معدات حفر ضوئي جديدة فحسب، بل يتضمن أيضاً بناء المعايير والنظام البيئي المتكامل لتصنيع الأقنعة الضوئية اللازمة للاستفادة القصوى من هذه التقنيات.
تعتبر الأقنعة الضوئية بمثابة قوالب محفورة بنماذج دوائر أشباه الموصلات. وبما أن معدات الحفر الضوئي تسلط الضوء على القناع لتسجيل الدوائر على الرقاقة، تزداد أهمية دقة القناع ومعاييره مع تقدم العمليات الدقيقة.
في تقنية High NA EUV، قد يكون من الضروري تطبيق "الحياكة" (Stitching) - وهي عملية تقسيم الرقاقة الكبيرة إلى عدة أجزاء صغيرة ثم ربطها معاً - نظراً لضيق منطقة الحفر الضوئي مقارنة بالتقنيات السابقة. باستخدام أقنعة بقياس 12 بوصة، يمكن تقليل هذه القيود بشكل كبير، مما يبسط خطوات العملية ويرفع الإنتاجية.
جاري نقاش أقنعة 12 بوصة الكبيرة في صناعة أشباه الموصلات كحل بديل لتخفيف مشكلة الحياكة في تقنية High NA EUV. غير أنه نظراً لضرورة تغيير سلسلة التوريد كاملة - من لوحة القناع الأساسية إلى تسجيل الدوائر والفحص والنقل ووصولاً إلى معدات الحفر الضوئي - يُعتبر تطوير المعايير بشكل مشترك بين شركات المعدات وشركات تصنيع أشباه الموصلات والنظام البيئي لتصنيع الأقنعة مهمة أساسية لتحقيق التسويق التجاري.
تخطط سامسونج إلكترونيكس لتطبيق تقنية High NA EUV على تصنيع ذاكرة الدرام المتقدمة ابتداءً من عام 2028. حيث تتيح هذه التقنية تحقيق دوائر أكثر دقة من الأشعة فوق البنفسجية المتطرفة التقليدية، مما يؤخر حد الدقة الفيزيائي لتقنية الدرام ويقلل من الحاجة لتكرار عمليات التنميط متعددة المراحل.
طبقت سامسونج إلكترونيكس في السابق تقنية الأشعة فوق البنفسجية المتطرفة في إنتاج ذاكرة الدرام على نطاق واسع كأول شركة في الصناعة، مما أدى إلى تقليل عمليات التنميط المتعددة وزيادة الإنتاجية. هذه المرة، تتبنى الشركة استراتيجية توسيع تقنيات الحفر الضوئي من الجيل القادم التي طُبقت أولاً في مجال المسابك إلى قطاع الذاكرة، بهدف تعزيز القدرة التنافسية في تصنيع ذاكرة درام عالية الأداء الموجهة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي.
يون يونج-هيون، نائب رئيس مجلس إدارة سامسونج إلكترونيكس، قال: "سنواصل الريادة في تصنيع أشباه الموصلات المتقدمة بما يشمل المسابك والذاكرة، وتعزيز التعاون مع ASML لإرساء الأساس التكنولوجي لحقبة 'الذكاء الاصطناعي القادم'".
* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.
