أعلنت شركة إس كي هاينكس عن خطتها لإدراج معدات إضاءة جيل قادم من شركة ASML تُعرف باسم "الأشعة فوق البنفسجية الشديدة عالية فتحة العدسة" (High NA EUV) في عمليات إنتاج الذاكرة العشوائية بحلول عام 2028. وتأتي هذه الخطوة كاستراتيجية لتجاوز حدود العمليات الدقيقة وتعزيز الأداء والقدرة التنافسية على صعيد التكلفة للذاكرة العشوائية من الجيل القادم.
وذكرت وكالة رويترز وغيرها من المصادر أن شركة إس كي هاينكس أعلنت في التاسع من الشهر الحالي عن هدفها تطبيق عمليات High NA EUV على الإنتاج الضخم للذاكرة العشوائية بحلول عام 2028. علاوة على ذلك، تدرس الشركة الانضمام إلى "تجمع الأقنعة الضوئية الكبيرة" (Large Size Mask Consortium) الذي تقوده شركة TSMC.
تمثل تقنية High NA EUV جيلاً متقدماً من تقنيات الإضاءة التي تتيح تحقيق دوائر أكثر دقة مقارنة بمعدات الأشعة فوق البنفسجية الشديدة التقليدية. يرتفع رقم فتحة العدسة (NA)، الذي يعكس القدرة على تجميع الضوء، من 0.33 في معدات EUV القديمة إلى 0.55 في النسخة الجديدة. هذا يسمح بتكوين أنماط أدق في مرة واحدة، مما يقلل من عدد مراحل العملية ويعزز من الأداء والإنتاجية في مجال أشباه الموصلات.
قامت شركة إس كي هاينكس بتطبيق تقنية EUV لأول مرة في عام 2021 على الإنتاج الضخم لذاكرة عشوائية من الجيل الرابع (1a) بقياس عشرة نانومترات، ثم وسعت نطاق التطبيق على ذاكرة عشوائية متقدمة. وتخطط الشركة لإدراج High NA EUV بهدف تبسيط عمليات EUV القائمة وتسريع وتيرة تطوير ذاكرة الجيل القادم.
تشارك الشركة أيضاً في الجهود المبذولة لتعديل معايير العمليات الضوئية لأشباه الموصلات. تدرس إس كي هاينكس حالياً الانضمام إلى تجمع يهدف إلى تكبير الأقنعة الضوئية من حجم ستة بوصات إلى اثني عشر بوصة. والأقنعة الضوئية هي أقراص تُستخدم لنقل أنماط دوائر أشباه الموصلات إلى رقاقات السيليكون، وتكبيرها سيزيد من الإنتاجية والكفاءة في عمليات الإضاءة من الجيل القادم.
يضم هذا التجمع شركات عملاقة عالمية في مجال أشباه الموصلات بما فيها ASML، وقد انضمت إليه شركة سامسونج إلكترونكس بالفعل. وفي حالة انضمام إس كي هاينكس إلى التجمع، يُتوقع أن يشهد السوق العالمي لأشباه الموصلات منافسة أكثر حدة حول المعايير التقنية فيما يتعلق بمعدات EUV من الجيل القادم والأقنعة الضوئية الكبيرة.
* تمت ترجمة هذا المقال تلقائيًا بواسطة الذكاء الاصطناعي.